黑别人网站,凡科小程序免费制作平台,萧山区seo关键词排名,俄语网站推广采用不周的掺杂工艺#xff0c;将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上#xff0c;在它们的交界面就形成PN结。
扩散运动
物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动#xff0c;这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。
空间电荷区 - 耗尽层 漂移运动
在电场力的作…采用不周的掺杂工艺将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上在它们的交界面就形成PN结。
扩散运动
物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。
空间电荷区 - 耗尽层 漂移运动
在电场力的作用下载流子的运动称为漂移运动。
对称结、不对称结
当P区与N区杂质浓度 相等时负离子区与正离子区的宽度也相等称为对称结。
当P区与N区杂质浓度 不同时尝试高一侧的离子区宽度低于尝试低的侧称为不对称结。
两种的的外部特性是相同的。
绝大部分的空间电荷区内的 自由电子 和 空穴 都非常少。
PN结具有单向导电性
外加电压极性不同时PN结表现出截然不同的导电性能即呈现出单向导电性。
正向接法 – 正向偏转
电源正极接PN结的P端电源负极接PN结的N端时称PN结外加正向电压也称正向接法或正向偏置。 反向接法 – 反向偏置 PN结的电流方程 常温下即T300k时UT ≈ 26mV UT为温度的电压当量。
PN结的伏安特性
u0的部分称为正向特性u0的部分称为反向特性。
当反向电压超过一定数值U(BR)后反向电流急剧增加称为反射击穿。 击穿按机理分为齐纳击穿 和 雪崩击穿。
齐纳击穿
在高掺杂的情况下因耗尽层宽度很窄不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场而直接破坏共价键使价电子脱离共价键束缚产生电子-空穴对致使电流急剧增大这种击穿称为齐纳击穿。
齐纳击穿电压较低。
雪崩击穿
如果掺杂浓度较低耗尽层宽度较宽当反向电压增加到较大数值时耗尽层电场使少子加快漂移速度从而与共价键中的价电子相碰撞把价电子撞出共价键产生电子-空穴对。新产生的电子与空穴被电场加速后又拉出其它价电子载流子雪崩式地倍增这种击穿称为雪崩击穿。
无论哪种击穿若对其电流不加限制都可能造成PN结的永久性损坏。
PN结的电容效应
根据产生原因不同分为势垒电容 和 扩散电容 。
势垒电容
耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容 。 扩散电容
PN结牌平衡状态时的少子称为平衡少子。
PN结牌正向偏置时从P区扩散到N区的空穴 和 从N区扩散到P区的自由电子 均称为非平衡少子。
扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同这种电容效应称为扩散电容.
