南庄营销网站建设,肇庆企业做网站,hao123网址导航,点开图片跳到网站怎么做flash:Flash#xff0c;是内存#xff08;Memory#xff09;的一种#xff0c;但兼有RAM和ROM, 分为NOR Flash 和 NADN Flash两种不同的flash#xff0c;分别用在不同的场合#xff0c;不同于SRAM(EEPROM),FLASH的操作是靠一系列指令完成#xff0c;以扇区sector进行整体…flash:Flash是内存Memory的一种但兼有RAM和ROM, 分为NOR Flash 和 NADN Flash两种不同的flash分别用在不同的场合不同于SRAM(EEPROM),FLASH的操作是靠一系列指令完成以扇区sector进行整体操作 NORflash:主要用来存储代码常量表可随机读写无坏块成本高可以以单字节读写但只能以块进行擦除。。 NANDFLASH:主要用来存数据不能随机读取每次只能以页为单位进行读写以block块512bytes)为单位擦除用512字节的页和32KB的块为单位有坏块初始化扫描以发现坏块并将坏块标记为不可用并以冗余块代替,向NAND器件写入信息需要相当的技巧因为设计师绝不能向坏块写入NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。需要通过软件方法避免EDC/ECC算法避免位交换错误容量大成本相对低一点擦写寿命短。 ● NOR的读速度比NAND稍快一些。、 ● NAND的写入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 ● NAND的擦除单元更小相应的擦除电路更少转载于:https://www.cnblogs.com/jieruishu/p/6835544.html
