双桥网站建设,个人网站怎么设计,人工智能在未来可以,wordpress vip会员主题目录符号寄生二极管#xff08;体二极管#xff09;的方向连接方法作用导通问题NMOSPMOS开关作用隔离作用引脚分辨常见型号NMOS的参数VDSS最大漏-源电压VGS最大栅源电压ID-连续漏电流VGS#xff08;th#xff09;RDS#xff08;on#xff09;导通电阻Ciss#xff1a;输入…
目录符号寄生二极管体二极管的方向连接方法作用导通问题NMOSPMOS开关作用隔离作用引脚分辨常见型号NMOS的参数VDSS最大漏-源电压VGS最大栅源电压ID-连续漏电流VGSthRDSon导通电阻Ciss输入电容QgsQgd和Qg损耗因素导通损耗开关损耗老师的主页唐老师讲电赛 视频地址唐老师讲电赛6MOS管
符号 G极不用说比较好认。 S极不论是P沟道还是N沟道两根线相交的就是 D极不论是P沟道还是N沟道是单独引线的那边。 寄生二极管体二极管的方向
它的判断规则就是N沟道由S极指向D极P沟道由D极指向S极。
连接方法
一般用的MOS管均为增强型MOS管。
作用
开关作用隔离作用可调电阻 如果MOS管用作开关时不论N沟道还是P沟道一定是寄生二极管的负极接输入边正极接输出端或接地。 否则就无法实现开关功能了。 所以N沟道一定是D极接输入S极接输出或地。 P沟道则相反一定是S极接输入D极接输出。 如果MOS管用作隔离时不论N沟道还是P沟道寄生二极管的方向一定是和主板要实现的单向导通方向一致。 笔记本主板上用PMOS做隔离管的最常见但也有极少的主板用NMOS来实现。
导通问题 NMOS PMOS 开关作用 MOS开关实现电压通断下图管子符号应该用错了图上是耗尽型MOS管应为增强型MOS管 隔离作用 引脚分辨 常见型号 IRF540 TO-220 100V 33A IRF640 IRF840 IRLR7843 TO-252-3 N沟道 30V/161A Si2301 PMOS -20V 0.19Ω -1.6A Si2302 Si2343 PMOS -30V 0.075Ω -4.6A 2N7002 NMOS的参数
VDSS最大漏-源电压 在栅源短接漏-源额定电压VDSS是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS.
VGS最大栅源电压 VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
ID-连续漏电流 ID定义为芯片在最大额定结温TJmax下管表面温度在25℃或者更高温度下可允许的最大连续直流电流。
VGSth 是指加的栅源电压能使漏极开始有电流或关断MOSFET时电流消失时的电压测试的条件漏极电流漏源电压结温也是有规格的。正常情况下所有的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。因此VGSth的变化范围是规定好的。VGSth是负温度系数当温度上升时MOSFET将会在比较低的棚源电压下开启。
RDSon导通电阻 RDSon是指在特定的漏电流通常为ID电流的一半、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。
Ciss输入电容 将漏源短接用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成或者CissCgs Cgd当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
QgsQgd和Qg 棚电荷栅电荷值反应存储在端子间电容上的电荷既然开关的瞬间电容上的电荷随电压的变化而变化所以设计栅驱动电路时经常要考虑栅电荷的影响。 栅极电荷Qg是产生开关损耗的主要原因。栅极电荷是MOS管门极充放电所需的能量相同电流、电压规格的MOSFET具有比较大的栅极电荷意味着在MOS开关过程中会损耗更多的能量。所以为了尽可能降低MOS管的开关损耗工程师在电源设计过程中需要选择同等规格下Qg更低的MOS管作为主功率开关管。
损耗因素 影响开关电源电源效率的两个损耗因素是导通损耗和开关损耗。
导通损耗 导通损耗具体来讲是由MOS管的导通阻抗Rds产生的Rds与栅极驱动电压Vgs和流经MOS管的电流有关。如果想要设计出效率更高、体积更小的电源必须充分降低导通阻抗。
开关损耗 开关损耗栅极电荷Qg是产生开关损耗的主要原因。栅极电荷是MOS管门极充放电所需的能量相同电流、电压规格的MOSFET具有比较大的栅极电荷意味着在MOS开关过程中会损耗更多的能量。所以为了尽可能降低MOS管的开关损耗工程师在电源设计过程中需要选择同等规格下Qg更低的MOS管作为主功率开关管。
