模板网站与定制网站的定位,涟源网页设计,做英语教具的网站,新型建筑模板文章目录 W25N01G1 描述2 特点3 封装3.3.2 连接线 4 引脚/CSDO/WP/Hold SPI指令标准SPI命令双SPI四元SPI命令写保护 5 地址PA与PC最后一个扇区 OTP寄存器1块保护清除块保护指令* WP-E 寄存器2寄存器3BUSYP-FAILE-FAILECC位 8 命令8.1 装置ID 指令解读写状态寄存器 注意内容上拉… 文章目录 W25N01G1 描述2 特点3 封装3.3.2 连接线 4 引脚/CSDO/WP/Hold SPI指令标准SPI命令双SPI四元SPI命令写保护 5 地址PA与PC最后一个扇区 OTP寄存器1块保护清除块保护指令* WP-E 寄存器2寄存器3BUSYP-FAILE-FAILECC位 8 命令8.1 装置ID 指令解读写状态寄存器 注意内容上拉BUF写数据读数据写使能极性 W25N01G
1 描述 2 特点 3 封装
NAND FLASH W25N01GVZEIG支持Standard/DUAL/QUAD SPI 区别就是在于注释的内容
IO0和IO2被用于标准和双SPI命令。IO0-IO3被用于四元SPI指令(四元代表从四个IO口获取数据)写保护和保持函数只有在标准模式和双SPI模式才可用。
3.3.2 连接线 4 引脚
/CS
Clip Select 片选线 当CS被拉低装置将会被选择能量消耗将会增加到激活水平命令可以被写或者数据可以被读。上电后CS必须从高到低的转变在一个命令被传来之前。CS输入必须在上下电的时候跟随VCC供能水平。如果需要一个上拉电阻可以帮助完成这个
DO
Serial Data Output(Data Input Output 1) 串行数据输出线
/WP
Write Protect Input (Data Input Output 2) 写数据保护线 写保护引脚可以被用来保护状态寄存器。和状态寄存器的BP位、SRP位结合使用。一部分内存如256K到一整块的内存可以被硬件保护。WP-E位控制WP引脚的功能。 当WP-E为0时装置软件保护只有SR1被保护。WP引脚变作一个为四元SPI操作的数据引脚。 当WP-E为1时装置硬件保护WP变成一个激活的低输入引脚作为整个装置的写保护。如果WP接地装置变成一个只读引脚。
4、GND 地线 5、DISerial Data Input(Data Input Output 0) 串行数据输入线 6、CLKSerial Clock 时钟线
/Hold
Hold Input (Data Input Output 3) 数据输入保持线 在标准和双SPI操作器件hold引脚被选择时允许装置暂停。当hold被拉低CS同时也拉低DO引脚将会高阻态同时DI和CLK引脚上的信号将会被忽略。当hold是高装置恢复。hold函数可以在多个装置被共享相同的SPI信号时使用。hold引脚低时激活。 8、VCC 电源输入
SPI指令
标准SPI命令 W25N01可以通过SPI兼容总线访问由clk,cs,DI和DO组成。标准SPI命令使用
使用DI输入引脚将指令、地址或数据串行地写入CLK上升沿上的设备。DO输出引脚用于从CLK下降沿上的设备读取数据或状态。模式0和模式3的主要区别在于CLK的电平当SPI总线主设备处于待机且数据没有被传输时对于模式0CLK信号通常在/CS的下降和上升边缘处是低电平状态的对于模式3CLK信号通常在/CS的下降和上升边缘处是高电平状态的。
双SPI 当使用3B命令和BBH命令时候w25n01支持双spi操作。这些命令允许数据可以从装置在两到三个时间周期内传递。双SPI命令对于快速下载到RAM上等非常理想。
四元SPI命令 当使用命令如6BH、EBH、32H等命令时w25n01支持四元SPI操作。这些命令允许数据从装置以4-6个周期传输。四元读命令。。。
写保护 需要注意的是片选引脚必须跟随VCC供电水平从上电直到最小电压的VCC供电水平和Tvsl延时时间到达。并且该引脚必须跟随VCC供电水平在下电时阻止指令序列颠倒。如果需要上拉电阻可以帮助完成这玩意。 上电之后装置自动处于写失能状态WEL位0。一个写使能命令必须在一个页程序、扇区擦除、块擦除命令执行被接收之前发出。在执行完一个程序、擦朱或者写命令之后WEL位会被自动清除到0。 软件控制写保护是容易的通过使用写状态寄存器命令并且设置状态寄存器的SRP0、SRP1和块波阿虎TB、BP3-0位。这样可以设置一个部分或者完全的内存序列被配置为只读。与WP引脚结合在软件控制下改变状态寄存器就可以使能或者失能。看写保护寄存器了解更多信息。 写访问状态寄存器由非只读的状态寄存器保护位SRP0SRP1、写使能命令、和当WP-E为1的时候的WP引脚控制。
5 地址
W25N01G的寻址方式是页地址列地址Page Add Column Add。
列地址大小为2112( 2 11 2 6 2^{11}2^6 21126)Byte由2048Byte的数据缓冲区和64Byte的备用区域Spare Area组成。没有完全用完地址页地址大小1024 x 64 x 2KB即该flash共有1024个块Block每个块包含64页Page每页大小为2KB。对应flash的大小1024x64x2/1024128M由于NAND Flash在设定上存在坏块所以就有Spare Area它被用于标记坏块bad block和保存对MainArray中main区的ECC码Error Checking and Correcting纠错码。
PA与PC PA是页地址请求16位PA[15:6]是一个128K的块的地址(共有1024个)。PA[0-5]是一个2K的页的地址(共有64个)。
最后一个扇区
1024*4096*N每个扇区大小4K但实际可用的只有2K。 1024代表快N代表第几个页。
OTP
OTP锁定的值。 One Time Program (OTP) write protection
寄存器1 块保护
S7-S2为块保护位主要提供写保护控制和状态。块保护位上电后的默认值是1以保护整个flash。如果配置寄存器(SR-2)中的SR1-L位被设置为1那么其默认值将是OTP锁定的值。
清除块保护指令*
Protection Register / Status Register-1 (Volatile Writable, OTP lockable) 此寄存器上电后的默认值是 0b01111100也就是说 Flash 处于写保护状态。我们需要用 Write Status Register (1Fh/01h) 这条指令清除写保护。 否则擦写指令不起作用。 {
}
WP-E
当WP-E 0(默认值)时设备处于软件保护模式当WP-E 1时设备处于硬件保护模式。 写保护位用来使能硬件保护。当该位1时WP引脚被拉低堵塞任何写、执行和擦除命令。装置变成只读的。四元SPI操作也不能在WP-E为1的时候操作。
寄存器2
状态寄存器2可以改变BUF和ECC-E的状态。
寄存器3 地址0xC0即可。
BUSY
擦写、执行程序忙。
P-FAIL
程序执行失败
E-FAIL
擦写失败
ECC位
累计的ECC状态 ECC函数用在NAND闪存中纠正在读操作器件有限内存的错误。 ECC状态位应该在完成读操作后检查一下证明数据的完整性。 ECC状态位不关心0. 这些位将会在重新上电或者执行复位命令后清零。 解读上图。ECC1和0都是1的情况只在BUF0的时候应用。 0 0 整个数据输出成功没有任何ECC纠正 0 1 整个数据输出成功有1-4位的ECC纠正 1 0 仅一个单页里不能被ECC修复整个数据输出包含超过4位的错误。 1 1 在多个页中整个数据输出包含超过4位错误。在连续读模式额外的命令只能提供最后失败的PA地址用户不能获得其它失败页的PA地址。数据不适合使用。
8 命令
8.1 装置ID 指令解读
写状态寄存器 写状态寄存器指令让我们可以写状态寄存器。可以写的状态位包括…,所有其它位是只读的不受该命令影响。 未来写状态寄存器位命令通过拉低CS进入。发送命令1F呆着寄存器地址然后写状态寄存器即可。 参照7.1.3的描述上拉之后默认BPTBECC-E位都是1其它位是0. 写状态寄存器命令。 impedance/阻抗/
注意内容
上拉
1、SPI 的信号线最好加 1k 上拉电阻 实测发现 W25N01GV 这颗芯片的驱动能力比较弱。在调试的时候这可能发生误导因为 BUSY 0 时表明命令执行完毕实际上是读回来的虚假低电平。(待验证)。
BUF
3、要注意两个型号的区别 W25N01GVxxIG 默认 BUF 1, 处于 Buffer Read Mode。 W25N01GVxxIT, 默认 BUF 0处于 Continous Read Mode。 两种模式可以用过命令切换。
写数据
4、写入数据分两步1. 先把数据传入芯片内部的 2048 字节 RAM 缓冲区。比如通过 Quad Program Data Load (32h) 指令装载数据。 2 执行 Program Execute (10h)。如果只执行第一步不执行第二步数据还可以从缓冲区读出来但是掉电后数据就没有了。
读数据
5.读数据也分为两步第一步先将指定页数据读取到缓冲区(0x13H )第二步将数据从缓冲区读出来(0x03H)。
写使能
6、在执行 Block EraseProgram Execute等命令前要先执行Write Enable(06h)指令否则指令不起作用。
极性
7、 非常重要的一点是SPI的 频率1M合适 SPI的的极性一定要为高。也就是空闲时要为高电平。(吃亏了血泪教训)
