北京市建设官方网站,宁波建设银行,高性能网站建设指南 当当,2345网址导航删除办法外延材料是实现器件制造的关键#xff0c;主要技术指标有外延层厚度、晶格布局#xff0c;材料结构#xff0c;形貌以及物理性质#xff0c;表面粗糙度和掺杂浓度等。下面阐述SiC外延表面常见的测试手段#xff1a; 1. 外延层厚度#xff08;傅里叶变换红外FT-IR#xf… 外延材料是实现器件制造的关键主要技术指标有外延层厚度、晶格布局材料结构形貌以及物理性质表面粗糙度和掺杂浓度等。下面阐述SiC外延表面常见的测试手段 1. 外延层厚度傅里叶变换红外FT-IR 原理对于掺杂的SiC外延片红外光谱测量膜厚为通用的行业标准。碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率因此试样的反射光谱会出现反映外延层厚度信息的连续干涉条纹。当外延层表面反射的光束和衬底界面反射的光束的光程差是半波长的整数倍时反射光谱中可以观察到极大极小值。根据反射谱中干涉条纹的极值峰位试样的光学常数以及入射角可以计算出相应的外延层厚度。 应用测定SiC外延层膜厚 参数测量直径至12”的硅晶片 2.掺杂浓度汞探针CV测试仪 原理汞探针CV测试仪是利用肖特基势垒电容C-V特性来测试掺杂浓度的测试方法。汞探针和N型碳化硅外延层接触时在N型碳化硅外延层一侧形成势垒。在汞金属和碳化硅外延层之间加一直流反向偏压时肖特基势垒宽度向外延层中扩展。如果在直流偏压上叠加一个高频小信号电压其势垒电容随外加电压的变化而变化可起到电容的作用。通过电容-电压变化关系即可找到金属-半导体肖特基势垒在外延层一侧的掺杂浓度分布。
应用外延掺杂浓度电阻率等。 参数测量范围 1E14 – 1E19/cm3。 3. SiC晶格布局材料结构形貌以及物理性质X射线衍射仪XRD 原理XRD原理X 射线的波长较短与晶体结构在同一个数量级上。X射线分析仪器使用X射线源是X 射线管在管子两极间加上高电压阴极就会发射出高速电子流撞击金属阳极靶从而产生X射线。当X 射线照射到晶体物质上,由于晶体是由原子规则排列成的晶胞组成每种结晶物质都有其特定的结构参数(包括晶体结构类型晶胞大小,晶胞中原子、离子或分子的位置和数目等)。不同原子散射的 X射线相互干涉在某些特殊方向上产生强X 射线衍射衍射线在空间分布的方位和强度与晶体结构密切相不同的晶体物质具有自己独特的衍射花样。高分辨衍射分析单晶外延膜的结构特征用Bond法超精度地测点阵参数、点阵错配、化学组份用Rocking曲线测定测算嵌镶结构、取向,作倒易空间测绘; 用于分析薄膜的厚度、密度、表面与界面粗糙度等。 应用测SiC晶格布局材料结构形貌以及物理性质 参数最大可用角度范围-110° 2Theta 168°最小步长0.0001°。 4. 表面形貌分析(扫描电镜) 原理利用聚焦的很窄的高能电子束来扫描样品通过光束与物质间的相互作用来激发各种物理信息对这些信息收集、放大、再成像以达到对物质微观形貌表征的目的。扫描电子显微镜的分辨率可以达到1nm放大倍数可以达到100万倍连续可调并且景深大视野大成像立体效果好。此外扫描电子显微镜和其他分析仪器相结合可以做到观察微观形貌的同时进行物质微区成分分析。 应用表面形貌分析 参数放大倍率2~1000000倍 5. 表面粗糙度原子力显微镜AFM 原理将一个对微弱力极敏感的微悬臂一端固定另一端有一微小的针尖针尖与样品表面轻轻接触由于针尖尖端原子与样品表面原子间存在极微弱的排斥力通过在扫描时控制这种力的恒定带有针尖的微悬臂将对应于针尖与样品表面原子间作用力的等位面而在垂直于样品的表面方向起伏运动。利用光学检测法或隧道电流检测法可测得微悬臂对应于扫描各点的位置变化从而可以获得样品表面形貌的信息。 应用样品表面形貌、表面粗糙度、力学、电学等性能测量。 参数XY方向扫描范围90umx 90umZ方向扫描范围10um纵向噪音水平30pm RMS值。
